Главная -> Продукты -> Поли- AIIIBV
1.Синтезированный GaP получают из галлия и фосфора чистотой 99,9999 в тиглях из пиролитического нитрида бора. Концентрация носителей заряда менее 2*10^16 см^(-3).
2.Поликристаллический фосфид галлия выращивается методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида (LEC) в кварцевом тигле из синтезированного GaP. Концентрация носителей заряда - менее 2*10^16 см^(-3). Диаметр - 30-110 мм. Длина - 10-100 мм.
3.Поликристаллический фосфид галлия выращивается методом Чохральского (LEC) из-под слоя борного ангидрида в кварцевом тигле из синтезированного GaP. Концентрация носителей заряда - менее 1*10^15 см^(-3). Диаметр - 30-110 мм. Длина - 10-100 мм.
4.Перетянутый фосфид галлия режется на шайбы толщиной 2-5 мм и диаметром 15-80 мм
Примечание:
Возможно изготовление поликристаллического фосфида галлия по требованиям заказчика, отличающимся от вышеуказанных.
Цена от 800$ за килограмм включая НДС.
Объем поставляемой партии 0,1-50,0 кг в месяц.
