Наша компания занимается разработкой технологии, внедрением разработанной технологии, защищенной патентами и производством борного ангидрида и материалов полупроводниковых соединений АIIIВV (фосфид галлия и индия, арсенид галлия). В том числе мы производим синтезированный и перетянутый методом Чохральского поликристаллический InP, GaP, GaAs, а также монокристаллы, пластины и образцы произвольной формы из этих материалов. В настоящее время основной объем продукции составляет фосфид галлия.
Монокристаллы фосфида галлия предназначены для создания нового типа светодиодов красно-оранжево-желтого излучения, применяемых в больших цветных экранах, в аппаратуре обслуживающей движение автотранспорта и архитектурном освещении.
Такой тип светодиодов, полученных на основе InGaPN имеют следующие преимущества над существующими системами на основе AlGaInP:
- меньшие производственные затраты;
- лучшая температурная стабильность длины волны излучения;
- большая яркость получения при высоких плотностях тока.
Эти преимущества обеспечивают выход СИД нового типа на быстро растущий рынок супер ярких приборов, требующих высокой мощности и стабильности цветового выхода, такой как ЖК-телевизоров, автомобильного и авиационного оборудования, медицинской техники.
